ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Inverter Board IGCT Module
Katerangan
| Pabrikan | ABB |
| Modél | 5SHY4045L0001 |
| Inpormasi pesenan | 3BHB018162 |
| Katalog | VFD suku cadang |
| Katerangan | ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Inverter Board IGCT Module |
| Asalna | Amérika Sarikat (AS) |
| Kode HS | 85389091 |
| Diménsi | 16cm * 16cm * 12cm |
| Beurat | 0,8 kg |
Rincian
5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 mangrupikeun produk thyristor (IGCT) terpadu tina ABB, milik séri 5SHY.
IGCT mangrupikeun jinis alat éléktronik énggal anu muncul dina ahir taun 1990-an.
Ieu ngagabungkeun kaunggulan IGBT (transistor bipolar Gerbang insulated) jeung GTO (Gerbang turn-off thyristor), sarta boga ciri speed switching gancang, kapasitas badag, sarta kakuatan nyetir diperlukeun badag.
Husus, kapasitas 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 sarua jeung nu ti GTO, tapi speed switching nyaeta 10 kali leuwih gancang batan GTO, nu hartina bisa ngalengkepan aksi switching dina waktu pondok sahingga ngaronjatkeun efisiensi konversi kakuatan.
Salaku tambahan, dibandingkeun sareng GTO, IGCT tiasa ngahemat sirkuit snubber anu ageung sareng rumit, anu ngabantosan simplify desain sistem sareng ngirangan biaya.
Sanajan kitu, eta kudu dicatet yén sanajan IGCT boga loba kaunggulan, kakuatan nyetir diperlukeun masih badag.
Ieu tiasa ningkatkeun pamakean énérgi sareng pajeulitna sistem. Salaku tambahan, sanaos IGCT nyobian ngagentos GTO dina aplikasi kakuatan tinggi, éta masih nyanghareupan persaingan sengit ti alat anyar anu sanés (sapertos IGBT)
5SHY4045L00013BHB018162R0001 Integrated gate commutated transistor|GCT (Intergrated Gate commutated transistor) nyaéta alat semikonduktor kakuatan anyar anu dipaké dina alat éléktronik kakuatan raksasa anu kaluar taun 1996.
IGCT mangrupakeun-kakuatan tinggi semikonduktor switch alat anyar dumasar kana struktur GTO, ngagunakeun struktur Gerbang terpadu pikeun hard drive Gerbang, ngagunakeun panyangga struktur lapisan tengah jeung anoda téhnologi emitter transparan, kalawan ciri on-nagara golongan thyristor jeung ciri switching tina transistor nu.
5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 ngagunakeun struktur panyangga sareng téknologi emitor deet, anu ngirangan leungitna dinamis sakitar 50%.
Sajaba ti éta, jenis ieu pakakas ogé integrates hiji dioda freewheeling kalawan ciri dinamis alus dina chip, lajeng nyadar kombinasi organik tina turunna tegangan dina kaayaan low, tegangan blocking tinggi jeung ciri switching stabil tina thyristor dina cara unik.
